FLASH存储器DDR存储器RAM存储器SRAM存储器DRAM存储器有什么区别？各有什么作用？
闪存：
它是存储设备的一种，是非易失性存储器。
闪存的物理特性与普通存储器有着根本的区别：目前所有类型的DDR、SDRAM或RDRAM都是易失性存储器，只要停止电流供电，存储器中的数据就无法保留，只能每隔一段时间重置一次。
计算机加载到内存中的时间：闪存即使在没有电流供电的情况下也能长时间保留数据，其存储性能与硬盘相当，成为各种便携式数码设备的存储介质。
DDR：
DDR=DoubleDataRate双倍速率同步动态RAM。
严格来说，DDR应该称为DDRSDRAM，人们习惯称其为DDR。
其中，SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory的缩写。
DDRSDRAM是DoubleDataRateSDRAM的缩写，意思是双倍速率同步动态随机存取存储器。
DDR内存是在SDRAM内存的基础上发展起来的，仍然采用SDRAM生产系统，因此，对于内存厂商来说，只需要对普通SDRAM制造设备稍作改进就可以实现DDR内存的生产，可以有效降低成本。
随机存取存储器（RAM）：
卷中的可以根据需要取出或存储，访问速度与卷的位置无关。
此类存储器在断电时会丢失其存储，因此主要用于存储短时间使用的程序。
根据存储单元的工作原理，RAM分为静态RAM和动态RAM。
SRAM：
它是StaticRandomAccessMemory的缩写，即静态存储器，与DRAM相对。
因为SRAM的工作原理是依靠一组晶体管来锁定电平，所以不需要刷新，而且只要不通电，数据就不会丢失，所以称为静态内存。
DRAM：
DRAM（DynamicRandomAccessMemory），动态随机存取存储器，是最常见的系统内存。
动态随机存取存储器（DRAM）只能短时间保存数据。
为了保存数据，DRAM是存储密集型的，因此必须时不时地刷新（刷新）。
如果卷不更新，信息将会丢失已保存。
（播放将被关闭，数据将丢失）
内存与FLASH的区别
内存和FLASH没有区别。
因为FLASH也是存储器的一种。
存储器包括RAM（随机存取存储器）、ROM（只读存储器）和闪存。
1数据
RAM：断电时数据不保留。
存储单元的可以根据需要被删除或保存，并且访问速度与存储单元的位置无关。
此类存储器在断电时会丢失其存储，因此主要用于存储短时间使用的程序。
Flash：关闭时保存数据。
结合了ROM和RAM的优点，不仅具有电可擦除可编程(EEPROM)的性能，而且不会因断电而丢失数据，可以快速读取数据(NVRAM的优点)。
2性能
RAM读取数据的速度比Flash快得多。
闪存FLASH是一种存储设备，“闪存”。
闪存是一种非易失性（non-volatile）存储器，可以在没有电流供电的情况下长期存储数据，是数字设备的基础存储介质。
所有类型的DDR、SDRAM或RDRAM都是非易失性存储器，只要停止电流供电，存储器中的数据就无法保留，因此每次开机时都必须重新加载数据在。
内存是计算机中的重要部件之一。
它是与CPU通信的桥梁。
计算机上的所有程序都运行在内存上，因此内存的性能对计算机有着巨大的影响。
内存也称为内部存储器、主存储器，其作用是暂时存储CPU中的操作数据，并与硬盘等外部存储器交换数据。
只要计算机在运行，CPU就会将需要计算的数据传输到内存中进行计算，内存也决定了计算机的稳定运行。
内存由内存芯片、电路板、金手指等部分组成。
扩展信息：
FLASH具有以下四个特性：
1可靠性
其中之一使用闪存介质时重要的考虑因素是可靠性。
对于需要延长MTBF的系统来说，闪存是非常合适的存储解决方案。
NOR和NAND的可靠性可以从寿命（稳定性）、位交换和坏块处理三个方面进行比较。
2耐用性
NAND闪存中每个块的最大擦写次数为一百万次，而擦写次数则为100万次。
因为NOR是十万次。
除了NAND存储器具有10比1的块擦除周期优势之外，典型的NAND块大小比NOR器件小八倍，并且每个NAND存储器块在给定时间段内被擦除的次数更少。
3易于使用
基于NOR的闪存可以非常直接地使用，可以像其他存储器一样连接，并且可以直接在程序中执行代码。
那。
由于需要I/O接口，NAND更加复杂。
不同制造商对不同NAND器件的访问方法有所不同。
使用NAND设备时，必须先编写驱动程序，然后才能进行其他操作。
将信息写入NAND设备需要相当高的技能，因为设计人员不知道必须写入坏块，这意味着必须在NAND设备上从头到尾进行虚拟映射。
4其他功能
该驱动程序还用于模拟DiskOnChip产品并管理NAND闪存，包括纠错、坏块处理和平衡消耗。
。
参考来源：
百度百科-Flash
百度百科-内存
