内存超频trfc要不要调
通常存储在记忆棒SPD上的参数。2-2-2-84 数字的含义是： CAS 延迟（简称 CL 值） 内存 CAS 延迟时间 这是重要的内存参数之一。
一些内存品牌将 CL 值打印在内存模块标签上。
RAS-to-CAS（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。
Row-pre chargeDelay (tRP)，存储器行地址选通的预充电时间。
Row-activeDelay (tRAS)，存储器行地址的选通延迟。
这是玩家最关心的四个时机调整。
它们可以在大多数主板的 BIOS 中设置。
内存模组厂商也计划推出低于JEDEC认证标准设定的低延迟内存模组，最小序列时序为“2-2-2-5”的内存模组实际上就足以实现更高的存储性能比3-4-4-8高出3到5个百分点。
先把内存调成DDR400，同步一下，然后慢慢加外频，找到极限。
找到CPU后，检查是否支持DDR533。
一般来说DDR667可以和DDR720稳定，但我的还好。
我的AM23000+、ABITKN9、ADATA512M已经成功突破300X9，内存设置为DDR533，实际工作频率为DDR720。
计时15-5-5-51T
请问内存tRC和tRFC对应关系
RowCycleTime (tRC) 设置 = 自动，7-22，步长为 1。该参数用于控制内存行循环时间。
tRC 确定完成一个完整周期所需的最小周期数。
这是从行激活到行充电的时间。
根据公式，tRC=tRAS+tRP。
因此，在配置tRC之前应该参考tRAS和rRP值。
如果行周期时间太长，则在一个周期完成后激活新行地址将会出现延迟。
但是，如果太短，激活的行将在开始下一次初始化之前充满电，这可能会导致数据丢失或覆盖。
一般情况下，根据tRC=tRAS+tRP将tRC设置为较低值。
例如，如果 tRAS 为 7 个时钟周期，tRP 为 4 个时钟周期，则理想的 tRC 值为 11。
影响：主要影响稳定性和内存带宽。
推荐设置：7为最佳性能，15-17为超频，可以从16逐渐减少直至稳定。
记住公式 tRC=tRAS+tRP。
RowRefreshCycleTime (tRFC) 设置 = 自动，9-24，步长为 1。
此设置表示刷新同一存储体中的单行所需的时间。
这也是同一存储体中两个刷新指令之间的间隔。
tRFC 必须大于 tRC。
影响：主要影响内存带宽和稳定性。
推荐设置：通常不高于9，10是最佳设置。
17-19是内存超频的推荐值。
可以从17开始，逐渐向下调整。
最稳定的值为 tRC 加 2 至 4 个时钟周期。
RowtoRowDelay（也称为 RAStoRASlay）(tRRD) 设置 = 自动、0-4、步骤 1。
该参数表示连续激活指令与内存行地址之间的最小时间间隔（预充电时间）。
延迟越低，激活下一个存储体的读写操作的速度就越快。
但由于需要一定量的数据，过短的延迟会导致数据不断增长。
对于台式机，建议延迟2个时钟周期，此时的数据扩展可以忽略不计。
将 tRRD 设置为 2 可提高 DDR 内存的读写性能。
如果2稳定，则应设置为3。
影响：轻微影响内存带宽和稳定性。
推荐设置：00 是最佳性能参数，如果要超频内存，4 可以达到最高频率。
通常2是最佳值，00看起来很奇怪，但有些人在00到260MHz之间可靠地工作。
此页面还有其他您可以研究的指标。
https://www.diysky.net/Article_Show.asp?ArticleID=8305
ref cycle time设置多少
通常设置为 60DRAMREFCycleTime (tRFC)：SDRAM 行刷新周期时间。该值对内存带宽影响较大。
通常设置为60。
放宽此设置可以相应提高内存超频频率。
例如，超频 DDR3 内存时。
建议使用 2000 MHz 以上的频率。
该值可以降低到 88 或更高。
